鑽石切屑
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熱是進步的障礙，阻礙了人類工業幾乎每個領域的進步。
我們率先推出了最新技術，這是世界上最高效的半導體冷卻製程技術，打破了這一障礙!
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鑽石基氮化鎵是我們開發的先進半導體技術。它涉及將氮化鎵 (GaN) 薄膜轉移到合成鑽石基板上。
鑽石基氮化鎵技術的工作原理是將氮化鎵 (GaN) 與人造鑽石結合。GaN是一種高性能半導體，非常適合高頻和高功率應用。當GaN轉移到鑽石基板上時，鑽石卓越的導熱性可有效散熱。這種組合增強了電子設備的性能、功率處理和熱管理，從而形成更小、更有效率的系統。
鑽石基氮化鎵透過改善熱管理顯著提高裝置性能。鑽石卓越的導熱性可以快速有效地將熱量從設備組件中帶走，使設備能夠在更高的功率水平和更可靠的條件下運行而不會過熱。這種組合利用了鑽石卓越的導熱率 (1500+ W/mK)，幾乎是銅或碳化矽等傳統材料的四倍。
鑽石基氮化鎵技術被認為是安全的，並且具有多種優勢，特別是在高功率、高頻應用的熱管理和效率方面。使用具有生物相容性且無毒的合成鑽石與氮化鎵相結合，不會帶來重大的安全問題。然而，與所有半導體技術一樣，其安全使用取決於設備內的正確處理和整合。
